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$75.99 CAD

Type de produit : module RAM
Nom de la marque : Axiome
Compatibilité:

  • Lenovo - ThinkPad R40 Pentium M (2722, 2723, 2724-xxx)
  • Lenovo-ThinkPad R40 (2897-xxx)
  • Facteur de forme : SoDIMM
    Longueur : 2,66 po (67,60 mm)
    Fabricant : Axiom Memory Solutions
    Nom du produit : 1 Go DDR-266 SODIMM pour Lenovo – 10K0034, 10K0035.
    Numéro de pièce du fabricant: 10K0034-AX
    Adresse du site Web du fabricant : http://search.axiomupgrades.com
    Nombre de broches : 200 broches
    Quantité emballée : 1
    Garantie limitée : à vie
    Épaisseur : 0,15 po (3,80 mm)
    Poids (approximatif) : 4,1 g

    Axiom 1 Go DDR-266 SODIMM pour Lenovo - 10K0034, 10K0035

  • Puces et composants de qualité supérieure – Chaque module de mémoire Axiom est fabriqué pour répondre ou dépasser les spécifications OEM.
  • Entièrement testé - Tous les modules de mémoire qui quittent notre entrepôt sont entièrement testés pour garantir qualité et fiabilité.
  • Compatibilité garantie - Axiom garantit que chaque module spécifique au système fonctionnera avec son ordinateur OEM correspondant.
  • Garantie à vie – Une fois que vous achetez un module de mémoire Axiom, vous n'avez plus à vous soucier d'une panne car tous les modules de mémoire Axiom sont assortis d'une garantie à vie.
  • Assistance technique gratuite et illimitée - Parlez à un véritable être humain et non à un message informatique. Le support technique est disponible pour chacun de nos clients par téléphone ou par e-mail.
  • Spécifications physiques
      • Dimensions : 67,60 mm x 31,75 mm x 3,8 mm Poids : 0,009 lb ECCN : EAR99 HTS : 8473.30.1140

      • Vitesse de mémoire jusqu'à 266 MHz pour gérer vos logiciels de routine avec rapidité et précision

      • SoDIMM 1 Go de mémoire pour affiner les performances de votre ordinateur

      • Le DDR-266/PC-2100 fonctionne à une vitesse de bus de données allant jusqu'à 400 MHz avec une consommation d'énergie minimale et, par conséquent, vous obtenez des performances informatiques optimales avec une dissipation thermique améliorée de la mémoire.

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