Axiom 32 Go DDR4-3200 UDIMM pour Lenovo - 4X71D07932
Type de produit : module RAM |
Écologique : Oui |
Certification environnementale : RoHS |
Nom de la marque : Axiome |
Compatibilité:
Ordinateur de bureau Lenovo ThinkCentre M75s Gen 2 |
Facteur de forme : UDIMM |
Fabricant : Axiom Memory Solutions |
Nom du produit : 32 Go DDR4-3200 UDIMM pour Lenovo - 4X71D07932 |
Numéro de pièce du fabricant: 4X71D07932-AX |
Adresse du site Web du fabricant : http://search.axiomupgrades.com |
Nombre de broches : 288 broches |
Garantie limitée : à vie |
Axiom 32 Go DDR4-3200 UDIMM pour Lenovo - 4X71D07932
Les modules DDR4 d'Axiom utilisent la dernière conception DRAM évolutive, offrant une vitesse, une gestion de l'énergie et une fiabilité améliorées. La sortie de la DDR4 offre une amélioration globale des performances allant jusqu'à 30 % pour les configurations DIMM uniques. Les performances DDR4 évoluent jusqu'à 65 % plus rapidement dans les applications à 3 DIMM par canal (3DPC) par rapport à la DDR3.
Une bande passante élevée et des débits de données plus rapides, combinés à des demandes de tension plus faibles, offrent la mise à jour informatique DRAM la plus convaincante et la plus importante de la dernière décennie.
Caractéristiques DDR4 :
- Fournit une plus grande fiabilité, disponibilité et facilité d'entretien (RAS) dans les applications d'entreprise - Intégrité totale et tolérance aux pannes pendant des périodes plus longues sans panne du système.
- Signal de données amélioré.
- Vitesse de mémoire de 3 200 MHz avec signal sans tampon et latence CL22 vous permettant de naviguer sur le Web, d'écouter des chansons et d'utiliser simultanément des logiciels de routine.
- UDIMM 32 Go de mémoire pour maintenir la symétrie avec le processeur et le disque dur et faire ressortir l'expérience informatique ultime
- La DDR4-3200/PC4-25600 fonctionne à une vitesse de bus efficace avec une consommation d'énergie minimale et, par conséquent, vous obtenez des performances informatiques optimales avec une dissipation thermique améliorée de la mémoire.